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SSFK3208	文件：283.95 Kbytes Page：7 Pages	HighPowerandcurrenthandingcapability	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. Silikron Semiconductor Co.,LTD.	SILIKRON
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TAS3208I	文件：991.89 Kbytes Page：79 Pages	DIGITALAUDIOPROCESSORWITHANALOGINTERFACE	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
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TAS3208PZPR	文件：221.77 Kbytes Page：9 Pages	DIGITALAUDIOPROCESSORWITHANALOGINTERFACE	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TAS3208PZPR	文件：991.89 Kbytes Page：79 Pages	DIGITALAUDIOPROCESSORWITHANALOGINTERFACE	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
TAS3208YZPR	文件：221.77 Kbytes Page：9 Pages	DIGITALAUDIOPROCESSORWITHANALOGINTERFACE	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TPH3208PS	文件：1.74165 Mbytes Page：13 Pages	650VGaNFETTO-220Series	TRANSPHORMTransphorm 运输	TRANSPHORM
TZ3208A	文件：177.24 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.0x1.650.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage MoistureSensitivityLevel(MSL):Level-1 DescriptionandApplications: Surfacemount2.0mmx1.6mmcrystalunitforuseinwireless	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UM3208	文件：1.40913 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
UM3208	文件：383.48 Kbytes Page：11 Pages	8-BitBidirectionalVoltage-LevelTranslatorforOpen-DrainandPush-PullApplication	UNIONSEMI Union Semiconductor, Inc.	UNIONSEMI
VSC3208	文件：219.39 Kbytes Page：2 Pages	4,8and12Port155Mbpsto4.25GbpsCrosspointSwitcheswithCDR FEATURES: 155Mbpsto4.25GbpsDataBandwidth PerChannelClock/DataRecovery Two-wireSerialProgramming UserProgrammableInputandOutputEqualization SingleReferenceClockwithPerChannelClockDividers ProtocolTransparentOperation PerChannelPatternGenerationandD	VITESSE VITESSE	VITESSE
W3208	文件：1.48642 Mbytes Page：9 Pages	18.5x18.5x4.0mmGPS/GlonassPinMount	pulse Pulse Electronics	pulse

详细参数

型号：
FJNS3208RBU_Q
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 50V/100mA/47K/22K
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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