选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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onsemiTO-226-3,TO-92-3 短体 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
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Fairchild |
33500 |
23+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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深圳市旺财半导体有限公司4年
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Fairchild |
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FJNS4214R图片
FJNS4214RBU中文资料Alldatasheet PDF
更多FJNS4214R制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJNS4214RBU功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 50/100mA/4.7K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
FJNS4214RBU_Q功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 50/100mA/4.7K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
FJNS4214RTA功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel