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FKQ3208	文件：341.46 Kbytes Page：4 Pages	DualN-Ch30VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKQ3208isthehighcelldensitytrenched N-chMOSFETs,whichprovidesexcellentRDSON andefficiencyformostofthesmallpower switchingandloadswitchapplications. TheFKQ3208meettheRoHSandGreenProduct requirementwithfullfunctionreliabilityapproved.	FETEKFETek Technology Corp. 台湾东沅东沅科技股份有限公司	FETEK
FKS3208	文件：568.29 Kbytes Page：4 Pages	DualN-Ch30VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKS3208isthehighcelldensitytrenched N-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDSON andgatechargeformostofthesynchronousbuck converterapplications. TheFKS3208meettheRoHSandGreenProduct requirementwithfullfunctionreliabilityapproved.	FETEKFETek Technology Corp. 台湾东沅东沅科技股份有限公司	FETEK
G3208	文件：109.02 Kbytes Page：1 Pages	Dual0.75SPDTAnalogSwitch	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT
GC3208	文件：153.54 Kbytes Page：3 Pages	POWERGENERATIONHarmonicsGeneratorVaractors	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
HSDL3208	文件：265.7 Kbytes Page：18 Pages	UltraSmallProfilePackageIrDADataCompliantLowPower115.2kbit/sInfraredTransceiver	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HSDL-3208	文件：465.93 Kbytes Page：23 Pages	UltraSmallProfilePackageIrDA짰DataCompliantLowPower115.2kbit/sInfraredTransceiver Description TheHSDL-3208isanultra-smalllowcostinfraredtransceivermodulethatprovidestheinterfacebetweenlogicandinfrared(IR)signalsforthroughair,serial,half-duplexIRdatalink.ThemoduleiscomplianttoIrDAPhysicalLayerSpecificationsversion1.4LowPowerfrom9.6kbit	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
HY3208B	文件：4.79775 Mbytes Page：14 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features 80V/120A RDS(ON)=mW(typ.)@VGS=10V ·ReliableandRugged ·LeadFreeandGreenDevicesAvailable (RoHSCompliant) 100%avalanchetested 7.0 Applications ·PowerManagementforInverterSystems.	HOOYIHOOYI SEMICONDUCTOR 后羿半导体西安后羿半导体科技有限公司	HOOYI
HY3208M	文件：4.79775 Mbytes Page：14 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features 80V/120A RDS(ON)=mW(typ.)@VGS=10V ·ReliableandRugged ·LeadFreeandGreenDevicesAvailable (RoHSCompliant) 100%avalanchetested 7.0 Applications ·PowerManagementforInverterSystems.	HOOYIHOOYI SEMICONDUCTOR 后羿半导体西安后羿半导体科技有限公司	HOOYI
HY3208P	文件：4.79775 Mbytes Page：14 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features 80V/120A RDS(ON)=mW(typ.)@VGS=10V ·ReliableandRugged ·LeadFreeandGreenDevicesAvailable (RoHSCompliant) 100%avalanchetested 7.0 Applications ·PowerManagementforInverterSystems.	HOOYIHOOYI SEMICONDUCTOR 后羿半导体西安后羿半导体科技有限公司	HOOYI
HY3208PM	文件：4.79775 Mbytes Page：14 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features 80V/120A RDS(ON)=mW(typ.)@VGS=10V ·ReliableandRugged ·LeadFreeandGreenDevicesAvailable (RoHSCompliant) 100%avalanchetested 7.0 Applications ·PowerManagementforInverterSystems.	HOOYIHOOYI SEMICONDUCTOR 后羿半导体西安后羿半导体科技有限公司	HOOYI

详细参数

型号：
FJNS3208RBU_Q
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 50V/100mA/47K/22K
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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