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FJN3305R

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Description Transistors with built-in resistors can be excellent space- and cost-saving solutions by reducing component count and simplifying circuit design. Features • 100 mA Output Current Capability • Built-in Bias Resistor (R1 = 4.7 kΩ, R2 = 10 kΩ) Applications • Switching, Interface, an

文件:69.63 Kbytes 页数:4 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FJN3305R

NPN 外延硅晶体管,带偏置电阻

带内置电阻的晶体管由于其减少的零件数量和简化的电路设计,可极大地节约空间和成本。 •100 mA 输出电流处理能力\n•内置偏置电阻(R1 = 4.7 KΩ、R2 = 10 KΩ);

ONSEMI

安森美半导体

FJN3305RBU

Package:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

FJN3305RTA

Package:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Compliance:

    Pb-free

  • Status:

     Active  

  • Description:

     NPN Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor 

  • Polarity:

    NPN

  • IC Continuous (A):

    0.1

  • V(BR)CEO Min (V):

    50

  • hFE Min:

    30

  • R1 (kΩ):

    4.7

  • R2 (kΩ):

    10

  • R1/R2 Typ:

     

  • Vi(off) Max (V):

     

  • Vi(on) Min (V):

     

  • Package Type:

    TO-92-3 LF

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更多FJN3305R供应商 更新时间2026-1-28 11:10:00