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FJA4313	文件：83.86 Kbytes Page：5 Pages	Audio Power Amplifier NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • High Current Capability: IC= 15A • High Power Dissipation : 130watts • High Frequency : 30MHz. • High Voltage : VCEO=230V • Wide S.O.A for reliable operation. • Excellent Gain Linearity for low THD. • Complement to 2SA1962/FJA42 文件：83.86 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJA4313	文件：461.89 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • High Current Capability: IC= 15A • High Power Dissipation : 130watts • High Frequency : 30MHz. • High Voltage : VCEO=230V • Wide S.O.A for reliable operation. • Excellent Gain Linearity for low THD. • Complement to 2SA1962/FJA42 文件：461.89 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJA4313	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN外延硅晶体管 •高电流能力：IC = 15A\n•大功率损耗：130 W\n•高频率：30 MHz\n•高压：VCEO = 250 V\n•宽 S.O.A 可实现可靠操作\n•极佳的增益线性度可实现低 THD\n•2SA1962/FJA4213 的补充器件\n•提供热 Spice 模型和电气 Spice 模型;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FJA4313OTU	文件：461.89 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • High Current Capability: IC= 15A • High Power Dissipation : 130watts • High Frequency : 30MHz. • High Voltage : VCEO=230V • Wide S.O.A for reliable operation. • Excellent Gain Linearity for low THD. • Complement to 2SA1962/FJA42 文件：461.89 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJA4313RTU	文件：461.89 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • High Current Capability: IC= 15A • High Power Dissipation : 130watts • High Frequency : 30MHz. • High Voltage : VCEO=230V • Wide S.O.A for reliable operation. • Excellent Gain Linearity for low THD. • Complement to 2SA1962/FJA42 文件：461.89 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJA4313OTU	文件：475.12 Kbytes Page：8 Pages	丝印：J4313O；Package：TO-3P；NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：475.12 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FJA4313RTU	文件：475.12 Kbytes Page：8 Pages	丝印：J4313R；Package：TO-3P；NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：475.12 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FJA4313OTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 250V 17A TO3PN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FJA4313RTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 250V 17A TO3PN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
3
IC Cont. (A)：
17
VCEO Min (V)：
250
VCBO (V)：
250
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1.5
hFE Min：
80
hFE Max：
160
fT Min (MHz)：
30
PTM Max (W)：
130
Package Type：
TO-3P-3L

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更多FJA4313供应商更新时间2025-10-4 16:30:00

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