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FIR9N50FG(M)	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOS/高压功率MOS	First 福斯特	First
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技术参数

ID_Tc=25℃：
8
ID_Tc=100℃：
5
VGS(V)：
±30
MIN(V)：
2
MAX(V)：
4
at Vgs=10V_Tpy：
0.68
at Vgs=10V_Max：
0.9
Type：
N
Package：
TO-220F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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现代芯城（深圳）科技有限公司	FIR-B3GA012Z-B10		24+	N/A	70000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
北京京北通宇电子元件有限公司	FIR-B3GA012Z-B10	FUJITSU	24+	con	30	现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格	询价
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更多FIR9N50FG供应商更新时间2025-10-13 14:04:00

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