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FIR6N40BPG	文件：2.73661 Mbytes Page：9 Pages	400V N-Channel MOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR6N40FG	文件：2.91022 Mbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR6N40LG	文件：2.73661 Mbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FQB6N40	文件：761.04 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET Features •5.5A,400V,RDS(on)=1.15Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typically13nC) •LowCrss(typically9.5pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB6N40C	文件：287.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQB6N40C	文件：663.15 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB6N40CF	文件：1.01698 Mbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB6N40CFTM	文件：1.01698 Mbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD6N40	文件：773.03 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET Features •4.2A,400V,RDS(on)=1.15Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical13nC) •LowCrss(typical9.5pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD6N40C	文件：305.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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