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FIR4N90PG	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管 / 高压MOSFERs	First 福斯特	First
FIR4N90RG	文件：2.22911 Mbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：2.22911 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FQB4N90	文件：609.28 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：609.28 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQB4N90TM	文件：2.19384 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET MOSFET 文件：2.19384 Mbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

技术参数

ID_Tc=25℃：
4.2
ID_Tc=100℃：
2.65
VGS(V)：
±30
MIN(V)：
2
MAX(V)：
4
at Vgs=10V_Tpy：
2.5
at Vgs=10V_Max：
3.1
Type：
N
Package：
TO-220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FIR4N90PG供应商更新时间2025-11-6 14:02:00

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