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FIR3N80FG

800V N-Channel MOSFET-D

文件:2.60988 Mbytes 页数:8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR3N80FG

场效应管 / 高压MOSFERs

First

福斯特

FIR3N80FG(D版)

功率MOS/高压功率MOS

First

福斯特

FIR3N80FG(Y版)

功率MOS/高压功率MOS

First

福斯特

技术参数

  • ID_Tc=25℃:

    3

  • ID_Tc=100℃:

    1.8

  • VGS(V):

    ±30

  • MIN(V):

    2

  • MAX(V):

    4

  • at Vgs=10V_Tpy:

    3.5

  • at Vgs=10V_Max:

    4.5

  • Type:

    N

  • Package:

    TO-220F

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-220F
32500
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更多FIR3N80FG供应商 更新时间2025-10-11 14:02:00