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FIR210N06PG

丝印:FIR210N06P;Package:TO-220;N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件:4.099689 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR210N06PG

功率MOS/中低压功率MOS

First

福斯特

TSM210N06

60V N-Channel Power MOSFET

Features ● Advanced Trench Technology ● Low RDS(ON) 3.1mΩ (Max.) ● Low gate charge typical @ 160nC (Typ.) ● Low Crss typical @ 300pF (Typ.)

文件:68.4 Kbytes 页数:4 Pages

TSC

台湾半导体

TSM210N06CZ

60V N-Channel Power MOSFET

Features ● Advanced Trench Technology ● Low RDS(ON) 3.1mΩ (Max.) ● Low gate charge typical @ 160nC (Typ.) ● Low Crss typical @ 300pF (Typ.)

文件:68.4 Kbytes 页数:4 Pages

TSC

台湾半导体

技术参数

  • ID [A]:

    210

  • VGS [±V]:

    ±20

  • VGS(th) [V]:

    2~4

  • RDS(on) [MΩ]:

    4

  • Package:

    TO-220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
JAE
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FIRST/福斯特
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TO220F
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更多FIR210N06PG供应商 更新时间2025-10-13 11:10:00