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FIR20N50FG	文件：3.32006 Mbytes Page：7 Pages	Advanced N-Ch Power MOSFET 文件：3.32006 Mbytes 页数：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR20N50FG	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管 / 高压MOSFERs	First 福斯特	First
FIR20N50FG(M)	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOS/高压功率MOS	First 福斯特	First
FMC20N50E	文件：439.63 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：439.63 Kbytes 页数：5 Pages	Fuji 富士通	Fuji
FMC20N50E	文件：332.85 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.31Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：332.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FMC20N50ES	文件：560.37 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：560.37 Kbytes 页数：5 Pages	Fuji 富士通	Fuji

技术参数

ID_Tc=25℃：
20
ID_Tc=100℃：
12.5
VGS(V)：
±30
MIN(V)：
2
MAX(V)：
4
at Vgs=10V_Tpy：
0.2
at Vgs=10V_Max：
0.24
Type：
N
Package：
TO-220F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FIR20N50FG供应商更新时间2025-12-1 10:08:00

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