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FIR200N04PG	文件：4.132149 Mbytes Page：7 Pages	丝印：FIR200N04P；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：4.132149 Mbytes 页数：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR200N04PG	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOS/中低压功率MOS	First 福斯特	First
FMG200N04Z	文件：865.75 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET Features  SGT LV MOSFET technology  Excellent Qg*Ron product(FOM)  Extremely low on-resistance(Ron) Application  Battery management  High current switching  UPS 文件：865.75 Kbytes 页数：6 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
HMS200N04D	文件：470.91 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：470.91 Kbytes 页数：5 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
LMPC200N04	文件：1.92191 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：1.92191 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH

技术参数

ID [A]：
200
VGS [±V]：
±20
VGS(th) [V]：
2~4
RDS(on) [MΩ]：
4
Package：
TO-220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FIR200N04PG供应商更新时间2025-12-23 15:53:00

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