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FIR16N50FG	文件：3.98183 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：3.98183 Mbytes 页数：10 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR16N50FG(M)	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOS/高压功率MOS	First 福斯特	First
FMC16N50E	文件：438.31 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：438.31 Kbytes 页数：5 Pages	Fuji 富士通	Fuji
FMC16N50E	文件：333.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：333.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FMC16N50ES	文件：543.2 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：543.2 Kbytes 页数：5 Pages	Fuji 富士通	Fuji

技术参数

ID [A]：
16
VGS [±V]：
±30
VGS(th) [V]：
2~4
RDS(on) [MΩ]：
0.4
Package：
TO-220F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FIR16N50FG供应商更新时间2025-12-1 10:08:00

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