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FIR150N03PG	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOS/中低压功率MOS	First 福斯特	First
HM150N03	文件：935.34 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：935.34 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM150N03D	文件：844.21 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：844.21 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM150N03K	文件：680.6 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：680.6 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

技术参数

ID [A]：
150
VGS [±V]：
±20
VGS(th) [V]：
1.2~2.5
RDS(on) [MΩ]：
4
Package：
TO-220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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