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FIR110N10PG	文件：4.31611 Mbytes Page：7 Pages	丝印：FIR110N10P；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：4.31611 Mbytes 页数：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR110N10PG	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOS/中低压功率MOS	First 福斯特	First
IXFC110N10P	文件：236.31 Kbytes Page：5 Pages	PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220 文件：236.31 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTQ110N10P	文件：578.97 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode PolarHT™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density 文件：578.97 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTT110N10P	文件：578.97 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode PolarHT™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density 文件：578.97 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

更多FIR110N10PG供应商更新时间2026-4-9 11:10:00