丝印：FIR110N10P；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件：4.31611 Mbytes 页数：7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

功率MOS/中低压功率MOS

First

福斯特

PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220

文件：236.31 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 17mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

文件：322.4 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

PolarHT HiPerFET Power MOSFET

文件：314.72 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯