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FHF5N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道增强型高压功率MOS场效应管	FeiHong 飞虹	FeiHong
FHF5N60A	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管(MOSFET)	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
FIR5N60ABLG	文件：2.98864 Mbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：2.98864 Mbytes 页数：9 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR5N60ABPG	文件：2.98864 Mbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：2.98864 Mbytes 页数：9 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR5N60BLG	文件：2.94538 Mbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：2.94538 Mbytes 页数：9 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER

技术参数

漏源电压(Vdss)：
600V
连续漏极电流(Id)：
5A
功率(Pd)：
30W
阈值电压(Vgs(th)@Id)：
4V@250uA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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现代芯城（深圳）科技有限公司	FHF5N60A		24+	N/A	72000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	FHF7N60TU	FEIHONG/飞虹	23+	TO220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

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