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FHF2N65D	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	FeiHong 飞虹	FeiHong
HFD2N65S	文件：871.49 Kbytes Page：8 Pages	650V N-Channel MOSFET 文件：871.49 Kbytes 页数：8 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
HFU2N65S	文件：871.49 Kbytes Page：8 Pages	650V N-Channel MOSFET 文件：871.49 Kbytes 页数：8 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
RT2N65M	文件：137.36 Kbytes Page：4 Pages	Composite Transistor For Muting Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION RT2N65M is a composite transistor with built-in bias resistor FEATURE ● Built-in bias resistor ( R1=10 KΩ) ● Mini package for easy mounting APPLICATION muting circuit、 switching circuit 文件：137.36 Kbytes 页数：4 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA

技术参数

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：
2A(Tc)
栅源极阈值电压：
4V @ 250uA
漏源导通电阻：
5.5Ω @ 1A
最大功率耗散（Ta=25°C）：
27W(Tc)
类型：
N沟道

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深圳市星宇佳科技有限公司	FHF2N65D	FeiHong(飞虹)	20+	TO-220F-3	50		询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	FHF2N65D		24+	N/A	60000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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深圳市联世界科技有限公司	FHF4N60	FH	24+/25+	TO-220F	36	原装正品现货库存价优	询价
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深圳市亿联芯电子科技有限公司	FHF4N60	FEIHONG/飞虹	2023+	TO-220F	6893	专注全新正品,优势现货供应	询价
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更多FHF2N65D供应商更新时间2026-4-19 15:01:00

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