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FHF18N50A	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	FeiHong 飞虹	FeiHong
FHF18N50C	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管(MOSFET)	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
FIR18N50AFG	文件：2.34334 Mbytes Page：8 Pages	500V N-Channel MOSFET 文件：2.34334 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR18N50FG	文件：3.25887 Mbytes Page：7 Pages	Advanced N-Ch Power MOSFET-Y 文件：3.25887 Mbytes 页数：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FQA18N50V	文件：624.23 Kbytes Page：8 Pages	500V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and w 文件：624.23 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

技术参数

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：
18A(Tc)
栅源极阈值电压：
4V @ 250uA
漏源导通电阻：
370mΩ @ 9A
最大功率耗散（Ta=25°C）：
37W(Tc)
类型：
N沟道

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更多FHF18N50供应商更新时间2025-11-3 11:05:00

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