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FHD80N07C	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	FeiHong 飞虹	FeiHong
FIR80N07PG	文件：2.79212 Mbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel Power MOSFET 文件：2.79212 Mbytes 页数：4 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
HY80N07T	文件：228.07 Kbytes Page：4 Pages	65V / 80A N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：228.07 Kbytes 页数：4 Pages	HY 虹扬科技	HY
LMFB80N07	文件：2.21183 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：2.21183 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH

技术参数

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：
80A(Tc)
栅源极阈值电压：
3V @ 250uA
漏源导通电阻：
8.5mΩ @ 33A
最大功率耗散（Ta=25°C）：
59.4W(Tc)
类型：
N沟道

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市星宇佳科技有限公司	FHD80N07C	FeiHong(飞虹)	20+	TO-252-2	75		询价
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更多FHD80N07C供应商更新时间2026-3-16 15:01:00

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