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FHA9N90D

场效应管(MOSFET)

E-CMOS

飞虹高科

FIR9N90AFG

900V N-Channel MOSFET-T

文件:2.10812 Mbytes 页数:8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR9N90ANG

900V N-Channel MOSFET

文件:2.19176 Mbytes 页数:8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR9N90APG

900V N-Channel MOSFET-T

文件:2.31293 Mbytes 页数:8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    900V

  • 连续漏极电流(Id):

    9A

  • 功率(Pd):

    280W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id):

    5V@250uA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FeiHong(飞虹)
2447
TO-3PN
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FeiHong(飞虹)
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TO-3PN
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FH/飞虹
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更多FHA9N90D供应商 更新时间2025-11-6 15:01:00