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FGK60N6S2D

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode

文件:185.32 Kbytes 页数:9 Pages

Fairchild

仙童半导体

FGK60N6S2D

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode

ONSEMI

安森美半导体

FGH60N6S2

IGBT

DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.5V@IC= 40A · Low Gate Charge · Low Conduction Loss APPLICATIONS · Solar Converters · Welding Converters · UPS,PFC · High Voltage Auxiliaries

文件:327.98 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FGH60N6S2

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT

文件:175.62 Kbytes 页数:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

详细参数

  • 型号:

    FGK60N6S2D

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 Dl 600V N-Ch

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

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更多FGK60N6S2D供应商 更新时间2025-5-17 16:47:00