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FGH25T120SMD	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT，1200V，25A，场截止沟槽通过采用创新的场截止沟道 IGBT 技术，飞兆半导体新型系列的场截止沟道 IGBT 可为太阳能逆变器、UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。 •FS 沟道技术，正温度系数\n•高速开关\n•低饱和电压： IC = 25 A 时，VCE(sat) = 1.8 V\n•100% 零件 ILM\n 测试\n•高输入阻抗\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGH25T120SMD	文件：308.64 Kbytes Page：9 Pages	1200 V, 25 A Field Stop Trench IGBT 文件：308.64 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGH25T120SMD-F155	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 50A 428W TO247-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
G25T120	文件：355.31 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop짰 and Fieldstop technology Low Loss IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology • Short circuit withstand time – 10µs • Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply • TrenchStop® and Fieldstop technology for 1200 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedne 文件：355.31 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IGW25T120	文件：412.87 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology 文件：412.87 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IGW25T120	文件：355.31 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop짰 and Fieldstop technology Low Loss IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology • Short circuit withstand time – 10µs • Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply • TrenchStop® and Fieldstop technology for 1200 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedne 文件：355.31 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
V(BR)CES Typ (V)：
1200
VF Typ (V)：
2.8
Eoff Typ (mJ)：
0.56
Eon Typ (mJ)：
1.74
Trr Typ (ns)：
325
Irr Typ (A)：
13
Gate Charge Typ (nC)：
225
PD Max (W)：
428
Package Type：
TO-247-3

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