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FGD3325G2-F085

丝印:FGD3325G2;Package:TO252;EcoSPARK®2 330mJ 250V, N-Channel Ignition IGBT

Features -SCIS Energy = 330mJ at TJ = 25oC -Logic Level Gate Drive -Qualified to AEC Q101 -RoHS Compliant Applications -Automotive lgnition Coil Driver Circuits -Coil On Plug Applications

文件:737.27 Kbytes 页数:11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FGD3325G2-F085V

IGBT, 250V, 25A, 1.35V, 330mJ, EcoSPARK®2, N-Channel Ignition

FGD3325G2-F085V • SCIS Energy = 330mJ at TJ = 25oC\n• Logic Level Gate Drive\n• Qualified to AEC Q101\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

FGD3325G2-F085

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 300V DPAK

ONSEMI

安森美半导体

FGD3325G2-F085V

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:ECOSPARK 2 330MJ, 250V, N

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    FGD3325G2-F085

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.25V @ 4V,6A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    800ns/5.1µs

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 300V DPAK

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更多FGD3325G2_F085供应商 更新时间2025-10-4 8:11:00