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FGB3440G2_F085

IGBT,400V,25A,1.30V,335mJ,EcoSPARK® II,N 沟道点火

FGB3245G2_F085 和 FGD3245G2 是采用 Fairchild 的 EcoSPARK® 2 技术设计的 N 沟道 IGBT,有助于免去外部保护电路。 该技术已针对在恶劣环境中汽车点火系统线圈的驱动进行了优化,并且该技术还能在工作温度提高时提供非常出色的 Vsat和 SCIS 能量性能。 逻辑电平栅极输入进行了 ESD 保护,并且具有一个集成式栅极电阻。 集成式齐纳电路将 IGBT 的集电极-发射极电压钳位控制在 450 V,因此能够支持具有更高火花电压的系统。 • 在 TJ=25oC时,SCIS 能量=335 mJ。\n• 符合 AEC Q101 标准\n• 符合RoHS标准\n;

ONSEMI

安森美半导体

FGB3440G2-F085

丝印:FGB3440G2;Package:TO-263AB;EcoSPARK®2 335mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT

Features - SCIS Energy = 335mJ at TJ = 25oC - Logic Level Gate Drive - Qualified to AEC Q101 - RoHS Compliant Applications - Automotive lgnition Coil Driver Circuits - Coil On Plug Applications

文件:1.26515 Mbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FGB3440G2-F085

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 400V 26.9A TO263AB

ONSEMI

安森美半导体

FGD3440G2_F085

FSC
TO-252AA

FSC

FGH40N60SFD

ON
TO-247

ON

产品属性

  • 产品编号:

    FGB3440G2-F085

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.2V @ 4V,6A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    1µs/5.3µs

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D²PAK(TO-263)

  • 描述:

    IGBT 400V 26.9A TO263AB

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更多FGB3440G2_F085供应商 更新时间2025-10-4 14:15:00