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FGAF40S65AQ	文件：491.99 Kbytes Page：10 Pages	Field Stop Trench IGBT 650 V, 40 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGAF40S65AQ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-3P-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：650V 40A FS4 SA IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGHL40S65UQ	文件：311.24 Kbytes Page：10 Pages	FieldStopTrenchIGBT40A,650V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
FGAF40S65AQ
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，40A
开关能量：
132µJ（开），62µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
17.8ns/81.6ns
测试条件：
400V，10A，6 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3 整包
供应商器件封装：
TO-3PF-3
描述：
650V 40A FS4 SA IGBT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FGAF40S65AQ供应商更新时间2024-6-4 17:01:00

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