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LT3065	文件：1.50391 Mbytes Page：28 Pages	45VVIN,500mALowNoise,LinearRegulatorwithProgrammableCurrentLimitandPowerGood	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
MBR3065	文件：103.79 Kbytes Page：1 Pages	SchottkyBarrierRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MBR3065BCT	文件：1.6143 Mbytes Page：3 Pages	30ASurfaceMountHighPowerSchottkyBarrierRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR3065CT	文件：99.69 Kbytes Page：3 Pages	30AHighPowerSchottkyBarrierRectifiers Features •Lowpowerloss,highefficiency. •Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop. •Highsurgecapability. •Guardringforovervoltageprotection. •Ultrahigh-speedswitching. •Siliconepitaxialplanarchip,metalsiliconjunction. •SuffixGindicatesHalogen-freepart,ex	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
MBR3065CT-J	文件：1.65021 Mbytes Page：3 Pages	30AHighPowerSchottkyBarrierRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR3065PT	文件：989.7 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features Lowpowerloss,highefficiency. Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop. Highsurgecapability. Guardringforovervoltageprotection. Ultrahigh-speedswitching. Siliconepitaxialplanarchip,metalsiliconjunction. SuffixHindicatesHalogen-freepart,ex.MBR3040BCTH.	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
NCE3065G	文件：669.33 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3065Gusesadvancedtrenchtechnologyanddesign toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications.Application ●DC/DCConverter ●Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronous rectificatio	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3065K	文件：617.25 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3065Kusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=65A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3065Q	文件：727.88 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3065Qusesadvancedtrenchtechnologyanddesign toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications.Application ●DC/DCConverter ●Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronous rectification	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCEP3065BQU	文件：808.94 Kbytes Page：5 Pages	LMN-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

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产品属性

产品编号：
FFSP3065A
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
30A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
1705pF @ 1V，100kHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-2
供应商器件封装：
TO-220-2L
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO220-2

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