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FFSD2065B	文件：416.65 Kbytes Page：6 Pages	Marking：FFSD2065B；Package：DPAK3；Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 20 A SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSiliconCarbide	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSD2065B	文件：479.05 Kbytes Page：6 Pages	Marking：FFSD2065B；Package：DPAK3；Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 20 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSD2065B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE 6	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSD2065B_V01	文件：416.65 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 20 A SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSiliconCarbide	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSH2065A	文件：435.89 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSH2065BDN	文件：242.66 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiode–EliteSiC,20A,650V,D2,TO-247-3L Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSM2065B	文件：210.1 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSP2065A	文件：294.38 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode650V,20A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSP2065B	文件：269.8 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiode–EliteSiC,20A,650V,D2,TO-220-2L Features •MaxJunctionTemperature175°C •AvalancheRated94mJ •HighSurgeCurrentCapacity •PositiveTemperatureCoefficient •EaseofParalleling •NoReverseRecovery/NoForwardRecovery •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant Applications •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSPF2065A	文件：426.58 Kbytes Page：3 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode FEATURES ·HighSurgeCurrentCapacity ·NoReverseRecovery/NoForwardRecovery ·EaseofParalleling ·NoReverseRecovery APPLICATIONS ·GeneralPurpose ·SMPS,SolarInverter,UPS ·PowerSwitchingCircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

产品属性

产品编号：
FFSD2065B
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
23.4A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
866pF @ 1V，100kHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-PAK（TO-252）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE 6

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