丝印：FFSD10120A；Package：DPAK-3L；Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 10 A, 1200 V, D1, DPAK-3L

Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil

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安森美半导体

Silicon Carbide Schottky Diode

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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 10 A, 1200 V, D1, DPAK-3L

Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil

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碳化硅肖特基二极管

碳化硅肖特基二极管使用全新技术，相比硅材，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。 无反向恢复电流、随温度变化的开关特性，以及出色的热性能使碳化硅成为新一代功率半导体。 系统优势包括效率最高、运行频率更快、功率密度增加、电磁干扰减少、以及系统大小和成本降低。 •最大结温 175 °C\n•雪崩额定值 100 mJ\n•高浪涌电流能力\n•正温度系数\n•易于并联\n•无反向恢复/无正向恢复;

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Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 1.2KV TO252

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