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FFPF08S60ST	文件：361.13 Kbytes Page：5 Pages	8 A, 600 V STEALTHTM II Diode 文件：361.13 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFPF08S60ST_12	文件：294.26 Kbytes Page：5 Pages	8A, 600V STEALTHTM II Rectifier 文件：294.26 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFPF08S60ST_14	文件：361.13 Kbytes Page：5 Pages	8 A, 600 V STEALTHTM II Diode 文件：361.13 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFPF08S60STTU	文件：361.13 Kbytes Page：5 Pages	8 A, 600 V STEALTHTM II Diode 文件：361.13 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFPF08S60STU	文件：131.68 Kbytes Page：5 Pages	Stealth 2 Rectifier 文件：131.68 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFPF08S60ST	文件：300 bytes Page：1 Pages	80A，600V，STEALTH™ II 二极管 FFPF08S60ST 是带软恢复特性的 STEALTH™ II 代二极管。它采用氮化硅钝化的离子布植式外延平面结构。此器件在开关电源及其他电源开关应用中用作续流或升压二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。 •Stealth 恢复，Trr = 30 ns（需 IF = 8 A）\n•最大正向电压，VF = 2.1 V（需 TC = 25°C）\n•600 V 反向电压和高可靠性\n•雪崩能量额定值\n•符合RoHS标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FFPF08S60STTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2 整包；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2L	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FFPF08S60STU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2 整包；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2L	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Type：
Single
IO(rec) Max (A)：
8
trr Max (ns)：
30
VRRM Max (V)：
600
VFM Max (V)：
2.6
IFSM Max (A)：
80
IR Max (mA)：
0.1
Package Type：
TO-220 FP/TO-220F-2FS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FFPF08S60ST供应商更新时间2025-10-6 16:50:00

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