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FFM202-L	文件：71.43 Kbytes Page：2 Pages	Chip Silicon Rectifier - Fast recovery type Fastrecoverytype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FFM202-L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Fast Recovery;	FormosaMSFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FormosaMS
FFM202-S	文件：95.38 Kbytes Page：7 Pages	ChipFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FFMA202	文件：229.95 Kbytes Page：9 Pages	SurfaceMountGlassPassivatedSuperFastRectifiersReverseVoltage50to1000VForwardCurrent2.0A	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
FFMAF202	文件：314.96 Kbytes Page：9 Pages	SurfaceMountGlassPassivatedJunctionFastRecoveryRectifiersReverseVoltage50to1000VForwardCurrent2.0A	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
FH202	文件：82.35 Kbytes Page：9 Pages	VCOOSCCircuitApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FKBP202	文件：21.1 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYBRIDGERECTIFIERS FEATURES: Highcasedielectricstrengthof2000VDC Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Fastswitchingforhighefficiency Idealforprintedcircuitboard Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
FKBP202	文件：106.58 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERY	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
FKP202	文件：306.68 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
FKP202	文件：312.11 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken

技术参数

VRRM(V)：
100
VR(V)：
100
IO(A)：
2
IFSM(A)：
50
VF(V) Max.：
1.3
IF(A)：
2
IR(μA) Max：
5
IR(μA) Max_VR(V)：
100
trr(ns)Max.@RG1：
150
trr(ns)Max.@RG1_IF(A)：
0.5
trr(ns)Max.@RG1_IR(A)：
1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FFM202-L供应商更新时间2025-7-28 16:48:00

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