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FF8MR12W2M1P_B11	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual 1200 V CoolSiC™ MOSFET Module \n• Highest efficiency for reduced cooling effort\n• Increased power density\n• Optimized customer’s development cycle time and cost\n;	Infineon 英飞凌	Infineon
FF8MR12W2M1P_B11	文件：465.55 Kbytes Page：7 Pages	EasyDUAL Modul mit CoolSiC??Trench MOSFET und PressFIT / NTC / TIM 文件：465.55 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

OPN：
FF8MR12W2M1PB11BPSA1
Qualification：
Industrial
Package name：
AG-EASY2B
Technology：
SiC MOSFET

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