62mm C-Serien Modul mit CoolSiC??Trench MOSFET

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1200 V CoolSiC™ MOSFET双管模块

\n优势:\n• 由于开关损耗极低，可最大限度减少冷却工作量\n• 高开关频率的模块，适用于较少的磁性元件系统，从而显著减小系统体积和外形尺寸\n• 基于上述模块带来的诸多好处，可以降低系统成本;

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62 mm C-Series module with CoolSiC™ Trench MOSFET

Features • Electrical features - VDSS = 1200 V - IDN = 280 A / IDRM = 560 A - High current density - Low switching losses • Mechanical features - 4 kV AC 1 min insulation

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62 mm C-Series module with CoolSiC™ Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material

Features • Electrical features - VDSS = 1200 V - IDN = 280 A / IDRM = 560 A - High current density - Low switching losses • Mechanical features - 4 kV AC 1 min insulation - Pre-applied thermal interface material

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62mm C-Serien Modul mit CoolSiC??Trench MOSFET und bereits aufgetragenem Thermal Interface meterial

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CoolSiC ™ MOSFET半桥模块 1200 V

62 毫米 CoolSiC ™ MOSFET 半桥模块 1200 V、2.9 mΩ G1 采用著名的 62 毫米外壳并结合 M1H 芯片技术。也可提供预涂热界面材料 (TIM) • 高电流密度\n• 低开关损耗\n• 卓越的栅极氧化层可靠性\n• 坚固耐用的集成体二极管\n• 高宇宙射线稳健性\n• 高速交换模块\n• 对称模块设计\n• 标准施工技术;

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CoolSiC ™ MOSFET半桥模块 1200 V

62 毫米 CoolSiC ™ MOSFET 半桥模块 1200 V、2.9 mΩ G1 采用著名的 62 毫米外壳，结合 M1H 芯片技术和预先应用的热界面材料 (TIM)。 • 高电流密度\n• 低开关损耗\n• 卓越的栅极氧化层可靠性\n• 坚固耐用的集成体二极管\n• 高宇宙射线稳健性\n• 高速交换模块\n• 对称模块设计\n• 标准施工技术;

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