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FF1200R17KE3B2NOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘托盘封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE 1700V 1200A	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FF1200R17KE3NOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE VCES 1700V 1200A	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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详细参数

型号：
FF1200R17KE3
功能描述：
IGBT 晶体管 1700V 1200A DUAL
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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