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FF100R12RT4	文件：476.494 Kbytes Page：9 Pages	英飞凌IGBT模块 FF100R12RT4 文件：476.494 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	Infineon
FF100R12RT4	文件：466.39 Kbytes Page：9 Pages	34mm Module with fast Trench/Feldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode 文件：466.39 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FF100R12RT4	文件：593.07 Kbytes Page：9 Pages	34mm Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode 文件：593.07 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FF100R12RT4	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT模块 The half-bridge 34 mm 1200 V, 100 A dual switch IGBT modules with fast TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode is the right choice for your design. • Extended operation temperature Tvj op\n• Low switching losses\n• Low VCEsat\n• Tvj op = 150°C\n• VCEsat with positive temperature coefficient\n• Isolated base plate\n• Standard housing\n\n优势:\n• Flexibility\n• Optimal electrical performance\n• Highest reliability;	Infineon 英飞凌	Infineon
FF100R12RT4_13	文件：593.07 Kbytes Page：9 Pages	34mm Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode 文件：593.07 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FF100R12RT4HOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 100A 555W	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Green：
yes
Halogen-free：
no
Voltage Class：
1200 V
Configuration：
Dual
Technology：
IGBT4 - T4
IC(nom) / IF(nom)：
100 A
OPN：
FF100R12RT4HOSA1
VCE(sat) Tvj=25°C typ：
1.75 V
VF Tvj=25°C typ：
1.75 V
Qualification：
Industrial
Housing：
34 mm
Dimensions length：
94 mm
Dimensions width：
34 mm
Package name：
AG-34MM

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更多FF100R12RT4供应商更新时间2025-10-10 14:03:00

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