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FERD30H100S	文件：482 Kbytes Page：13 Pages	100 V field-effect rectifier diode Features  ST advanced rectifier process  Stable leakage current over reverse voltage  Reduced leakage current  Low forward voltage drop  High frequency operation  ECOPACK®2 compliant component 文件：482 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
FERD30H100S	文件：474.3 Kbytes Page：14 Pages	100 V field-effect rectifier diode 文件：474.3 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
FERD30H100S_V01	文件：482 Kbytes Page：13 Pages	100 V field-effect rectifier diode Features  ST advanced rectifier process  Stable leakage current over reverse voltage  Reduced leakage current  Low forward voltage drop  High frequency operation  ECOPACK®2 compliant component 文件：482 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
FERD30H100SB-TR	文件：482 Kbytes Page：13 Pages	丝印：FD30H100S；Package：DPAK；100 V field-effect rectifier diode Features  ST advanced rectifier process  Stable leakage current over reverse voltage  Reduced leakage current  Low forward voltage drop  High frequency operation  ECOPACK®2 compliant component 文件：482 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
FERD30H100SH	文件：482 Kbytes Page：13 Pages	丝印：FD30H100S；Package：IPAK；100 V field-effect rectifier diode Features  ST advanced rectifier process  Stable leakage current over reverse voltage  Reduced leakage current  Low forward voltage drop  High frequency operation  ECOPACK®2 compliant component 文件：482 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
FERD30H100STS	文件：482 Kbytes Page：13 Pages	丝印：FD30H100STS；Package：TO-220AB；100 V field-effect rectifier diode Features  ST advanced rectifier process  Stable leakage current over reverse voltage  Reduced leakage current  Low forward voltage drop  High frequency operation  ECOPACK®2 compliant component 文件：482 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
FERD30H100SB-TR	文件：474.3 Kbytes Page：14 Pages	100 V field-effect rectifier diode 文件：474.3 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
FERD30H100SH	文件：474.3 Kbytes Page：14 Pages	100 V field-effect rectifier diode 文件：474.3 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
FERD30H100STS	文件：474.3 Kbytes Page：14 Pages	100 V field-effect rectifier diode 文件：474.3 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
FERD30H100S	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V Field-Effect Rectifier Diode The device is based on a proprietary technology that achieves the best in class VF/IR trade-off for a given silicon surface. This 100 V rectifier has been optimized for use in confined applications where both efficiency and thermal performance are key. With a lower dependency of leakage current (IR) • ST advanced rectifier process\n• Stable leakage current over reverse voltage\n• Reduced leakage current• Low forward voltage drop\n• High frequency operation;	ST 意法半导体	ST

技术参数

Number of Diodes_spec：
1
Marketing Status：
Active
Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)：
100
Average Rectified Current_max(A)：
30
VF_max(V)：
0.745
VF measure condition_spec(@ IF)(A)：
30
Reverse Current_max(mA)：
0.13
Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)：
150
Junction Temperature_max(°C)：
175
General Description：
100 V

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