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FDZ391P中文资料-20V P沟道1.5 V PowerTrench®薄型WL-CSP MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDZ391P

功能描述

-20V P沟道1.5 V PowerTrench®薄型WL-CSP MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-17 20:00:00

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FDZ391P规格书详情

描述 Description

FDZ391P的设计采用飞兆先进的1.5 V PowerTrench工艺和最新“低间距”薄型WLCSP封装工艺,可最大限度地减小PCB空间和RDS(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展,使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rDS(on)融合为一体。

特性 Features

•VGS = -4.5 V,ID = -1 A时,最大RDS(on) = 85mΩ
•VGS = -3 V,ID = -1 A时,最大RDS(on) = 123mΩ
•VGS = -3 V,ID = -1 A时,最大RDS(on) = 200mΩ
•只占用1.5 mm2的PCB面积
•超薄封装: 安装在PCB上时高度低于0.4 mm
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Battery Management
• Load Switch
• Battery Protection

技术参数

  • 制造商编号

    :FDZ391P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-3

  • PD Max (W)

    :1.9

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :123

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :85

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :17

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :9

  • Ciss Typ (pF)

    :800

  • Package Type

    :WLCSP-4

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