FDZ294N中文资料N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET数据手册ONSEMI规格书
技术参数
- 型号：
FDZ294N
- 功能描述：
MOSFET LOW_VOLTAGE
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
2520BGA |
32000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
19+ |
BGA |
20000 |
2770 |
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FAIRCHILD |
24+ |
原厂原封 |
6523 |
进口原装公司百分百现货可出样品 |
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FSC |
ROHS |
5632 |
2015 |
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FAIRCILD |
22+ |
BGA |
8000 |
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Fairchild |
24+ |
9-BGA |
7500 |
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FSC |
23+ |
2520BGA |
30000 |
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FAIRCHILD |
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FAIRCHILD/仙童 |
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BGA9 |
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onsemi(安森美) |
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BGA-9(1 |
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