FDZ371PZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

描述 Description

FDZ371PZ的设计采用飞兆先进的1.5 V PowerTrench®工艺以及一流的“微间距”薄型WLCSP封装工艺，可最大限度地减少PCB空间和rDS(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rDS(on)融合为一体。

特性 Features

•VGS = -4.5 V，ID = -2.0 A时，最大rDS(on) = 75 mΩ
•VGS = -2.5 V，ID = -1.5 A时，rDS(on) = 90 mΩ（最大值）
•VGS = -1.8 V，ID = -1.0 A时，最大rDS(on) = 110 mΩ
•VGS = -1.5 V，ID = -1.0 A时，最大rDS(on) = 150 mΩ
•仅占1.0 mm2的PCB空间。比2 x 2 BGA所占空间少30%。
•超薄封装： 安装至PCB时，高度小于0.4 mm
•HBM ESD保护等级>4.4kV，典型值（注3）
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Battery Management
• Load Switch
• Battery Protection