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GBJ2501	文件：127.74 Kbytes Page：3 Pages	25AmpGlassPassivatedBridgeRectifier50to1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
GBJ2501	文件：85.12 Kbytes Page：4 Pages	25AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
GBJ2501	文件：802.42 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers Features: Ratingto1000VPRV. Idealforprintedcircuitboard. Lowforwardvoltagedrop,highcurrentcapability. Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique resultsininexpensiveproduct. *PlasticpackageusedhasUnderwritersLaboratory FlammabilityCla	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
GBJ2501	文件：253.4 Kbytes Page：3 Pages	25AmpGlassPassivatedBridgeRectifier50to1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
GBJ2501	文件：970.31 Kbytes Page：2 Pages	Voltage50V~1000V25.0AmpGlassPassivitedBridgeRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
GBJ2501	文件：968.37 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-25.0Ampere FEATURES ●Glasspassivatedchipjunction ●Reliablelowcostconstructionutilizingmolded plastictechnique ●Idealforprintedcircuitboard ●Lowreverseleakagecurrent ●Lowforwardvoltagedrop ●Highsurgecurrent	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
GBJ2501	文件：88.62 Kbytes Page：2 Pages	25AmpGlassPassivatedBridgeRectifier50to1000Volts Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(NOTE1)(PSuffix designatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Idealforprintedcircuitboard •Lowforwardvoltagedrop,highcurrentcapability. •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Mounting:T	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
GBJ2501	文件：330.21 Kbytes Page：2 Pages	25AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER FEATURES •GlassPassivatedDieConstruction •HighCaseDielectricStrengthof1500VRMS •LowReverseLeakageCurrent •SurgeOverloadRatingto350APeak •IdealforPrintedCircuitBoardApplications •PlasticMaterial-ULFlammability Classification94V-0 •ULListedUnderRecogniz	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
GBJ2501	文件：471.15 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
GBJ2501	文件：197.94 Kbytes Page：2 Pages	25AmpGlassPassivatedBridgeRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

详细参数

型号：
FDW2501N_Q
功能描述：
MOSFET TSSOP-8 N-CH DUAL
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDW2501N_Q供应商更新时间2025-7-26 15:01:00

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