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GBJ2501	文件：54.34 Kbytes Page：2 Pages	25AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER Features •GlassPassivatedDieConstruction •HighCaseDielectricStrengthof2500VRMS •LowReverseLeakageCurrent •SurgeOverloadRatingto350APeak •IdealforPrintedCircuitBoardApplications •ULListedUnderRecognizedComponent Index,FileNumberE94661 •LeadFreeFinish;	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
GBJ2501	文件：46.64 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS PRV:50-1000Volts Io:25Amperes FEATURES: GlassPassivatedDieConstruction Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Highcasedielectricstrengthof2000VDC Highcurrentcapability Verygoodheatdissipation *P	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
GBJ2501	文件：59.64 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhaseBridgeRectifiers FEATURES Ratingto1000VPRV Idealforprintedcircuitboard Lowforwardvoltagedrop,highcurrentcapability Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastic techniqueresultsininexpensiveproduct	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
GBJ2501	文件：40.54 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-25Amperes FEATURES ●Ratingto1000VPRV ●Idealforprintedcircuitboard ●Lowforwardvoltagedrop,highcurrentcapability ●Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastic techniqueresultsininexpensiveproduct ●Thepla	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
GBJ2501	文件：259.649 Kbytes Page：4 Pages	Single-PhaseGlassPassivatedBridgeRectifier Single-PhaseGlassPassivatedBridgeRectifier Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability Classification94V-0 •Glasspassivateddieconstruction •Highcasedielectricstrengthof1500VRMS •Lowreverseleakagecurrent •Idealforprintedcircuitboards •Su	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
GBJ2501	文件：66.65 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE25.0AMPBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT25.0Amperes FEATURES Idealforprintedcircuitboard Lowforwardvoltage Mountingposition:Any Lowleakagecurrent	UNIOHMUniohm 台湾厚声	UNIOHM
GBJ2501	文件：57.37 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASEGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT25.0Amperes FEATURES •PlasticpackagehasULFlammability Glassification94V-0 •Highcasedielectricstrengthof1500VRMS •Idealforprintedcircuitboards •Glasspassivatedchipjunctions •Highsurgecurrentcapability •Hightemperatureso	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC
GBJ2501	文件：286.53 Kbytes Page：2 Pages	25.0AMPGlassPassivatedBridgeRectifiers FEATURES ●Io:25A ●VRRM:50~1000V ●Glasspassivatedchip ●Highsurgeforwardcurrentcapability APPLICATIONS ●Generalpurpose1phaseBridge rectifierapplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
GBJ2501	文件：43.55 Kbytes Page：1 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER VOLTAGE：50-1000VCURRENT：25.0A FEATURES •Lowleakage •Lowforwardvoltage •Surgeoverloadratings-350Amperes	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
GBJ2501	文件：53.08 Kbytes Page：2 Pages	25Ampglasspassivatedbridgerectifier50to1000volts Features ●Ratingto1000VPRV ●Idealforprintedcircuitboard ●Lowforwardvoltagedrop,highcurrentcapability. ●Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastic techniqueresultsininexpensiveproduct	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI

详细参数

型号：
FDW2501N_Q
功能描述：
MOSFET TSSOP-8 N-CH DUAL
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDW2501N_Q供应商更新时间2025-7-26 15:01:00

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