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FM301	文件：307.67 Kbytes Page：2 Pages	3.0AmpGlassPassivatedSuperFastRectifiers-50~1000Volts Features •GlassPassivatedChip •Idealforsurfacemountedapplications •Lowleakagecurrent •Metallurgicallybondedconstruction •MoistureSensitivityLevel1 •RoHSproductforpackingcodesuffix“G” Halogenfreeproductforpackingcodesuffix“H”	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
FM301B	文件：29.73 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDSILICONRECTIFIERVOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT3.0Amperes	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FM301B	文件：319.6 Kbytes Page：2 Pages	3.0AmpGlassPassivatedSuperFastRectifiers-50~1000Volts Features •GlassPassivatedChip •Idealforsurfacemountedapplications •Lowleakagecurrent •Metallurgicallybondedconstruction •MoistureSensitivityLevel1 •RoHSproductforpackingcodesuffix“G” Halogenfreeproductforpackingcodesuffix“H”	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
FM301-BS	文件：57.6 Kbytes Page：7 Pages	ChipGeneralPurposeRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM301L	文件：319.59 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDSILICONRECTIFIERVOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT3.0Ampere	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FM301P	文件：128.75 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDSILICONRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FP301	文件：125.67 Kbytes Page：4 Pages	DC-DCConverterApplications DC-DCConverterApplications Features •Compositetypewith2devices(NPNtransistorandSchottokybarrierdiode)containedinonepackage,facilitatinghigh-densitymounting. •TheFP301isformedwithachipbeingequivalenttothe2SD1621andachipbeingequivalenttotheSB07-03Cplacedi	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FP-301	文件：67.74 Kbytes Page：4 Pages	Flexible,Polyolefin	3M 3M Electronics	3M
FR301	文件：46.43 Kbytes Page：3 Pages	3.0AFASTRECOVERYRECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
FR301	文件：143.44 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPS.FASTRECOVRYRECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT3.0Amperes FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD

详细参数

型号：
FDV301N_Q
功能描述：
MOSFET N-Ch Digital
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博浩通科技有限公司	FDV301NCT	Fairchild	23+	SOT-23	7750	全新原装优势	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FDV301N-D87Z	ON/安森美	23+	SOT-23	129254	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市纳立科技有限公司	FDV301N-F080		三年内		1983	只做原装正品	询价
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北京天阳诚业科贸有限公司	FDV301N-F169	ON SEMICONDUCTOR	24+	con	35960	查现货到京北通宇商城	询价
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更多FDV301N_Q供应商更新时间2025-5-16 17:14:00

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