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FDY302NZ	文件：218.78 Kbytes Page：6 Pages	FDY302NZSingleN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFM302	文件：24.18 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYSILICONRECTIFIER(VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT3.0Amperes)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FFM302	文件：69.8 Kbytes Page：2 Pages	Fastrecoverytype 3.0ASurfaceMountFastRecoveryRectifiers-50-1000V Features •Batchprocessdesign,excellentpowerdissipationoffersbetterreverseleakagecurrentandthermalresistance. •Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. •Highcurrentcapability. •Fastswitchi	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FFM302	文件：82.53 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountFastRecoveryRectifiers Features: PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassication94V-OUtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
FFM302	文件：316.388 Kbytes Page：2 Pages	3A100VFastrecoverydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
FFM302	文件：316.388 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
FFM302	文件：90.59 Kbytes Page：2 Pages	Fastrecoverytype	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
FFM302	文件：97.95 Kbytes Page：7 Pages	ChipFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FFM302	文件：90.59 Kbytes Page：2 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
FFM302	文件：314.44 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●FastRecoveryTimeforHighEfficiency ●LowForwardVoltageDropandHighCurrentCapability ●IdeallySuitedforAutomaticAssembly ●PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE

详细参数

型号：
FDV302P_Q
功能描述：
MOSFET Digital FET P-Ch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDV302P_Q供应商更新时间2025-5-16 17:14:00

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