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FFM301	文件：314.44 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●FastRecoveryTimeforHighEfficiency ●LowForwardVoltageDropandHighCurrentCapability ●IdeallySuitedforAutomaticAssembly ●PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
FFM301	文件：1.01406 Mbytes Page：2 Pages	3.0ASUFRACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERS-50-1000V FEATURES Glasspassivateddevice Idealforsurfacemountedapplications Lowleakagecurrent Metallurgicallybondedconstruction *Mountingposition:Any	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
FFM301	文件：97.95 Kbytes Page：7 Pages	ChipFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FFM301B	文件：177.83 Kbytes Page：9 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYSILICONRECTIFIERVOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT3.0Ampere	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FFM301-BS	文件：98.56 Kbytes Page：7 Pages	ChipFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FFM301CG	文件：2.94628 Mbytes Page：3 Pages	ChipSiliconRectifier	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FFM301L	文件：331.91 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYSILICONRECTIFIERVOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT3.0Ampere	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FFM301L	文件：581.55 Kbytes Page：4 Pages	3.0ASUFRACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERS-50-1000V	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
FM301	文件：23.01 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDSILICONRECTIFIER(VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT3.0Amperes)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FM301	文件：68.06 Kbytes Page：2 Pages	Glasspassivatedtype Glasspassivatedtype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Glasspassivatedjunction	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA

详细参数

型号：
FDV301N_Q
功能描述：
MOSFET N-Ch Digital
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博浩通科技有限公司	FDV301NCT	Fairchild	23+	SOT-23	7750	全新原装优势	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FDV301N-D87Z	ON/安森美	23+	SOT-23	129254	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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更多FDV301N_Q供应商更新时间2025-5-16 17:14:00

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