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HSBD439	文件：234.91 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS MediumPowerLinearswitchingApplications	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司	Huashan
HW439	文件：929.88 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	NTE NTE Electronics	NTE
HW439	文件：892.97 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
KSMT439N	文件：602.68 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
ML439RAT	文件：533.54 Kbytes Page：2 Pages	High-ReliabilityAirCoreInductors	COILCRAFTCoilcraft lnc. 线艺美国线艺公司	COILCRAFT
MS439RAT	文件：560.42 Kbytes Page：2 Pages	High-ReliabilityAirCoreInductors	COILCRAFTCoilcraft lnc. 线艺美国线艺公司	COILCRAFT
MUR439	文件：62.03 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECTIFIER ReverseVoltage:50to600Volts ForwardCurrent:4.0Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability Classification94V-0 ▪Lowforwardvoltagedrop ▪Highcurrentcapability,Highreliability ▪Lowpowerloss,highefficiency ▪Highsurgecurrentcapability	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MUR439G	文件：62.03 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
NCP439	文件：150.38 Kbytes Page：9 Pages	2AVeryLowRonSwitchesatLowVinVoltage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
FDT439N_Q
功能描述：
MOSFET SOT-223 N-CH 30V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDT439N_Q供应商更新时间2025-5-15 17:47:00

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