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FDS9431

P-Channel 2.5V Specified MOSFET

文件:204.33 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDS9431A

P-Channel 2.5V Specified MOSFET

文件:204.33 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDS9431A

P-Channel 2.5V Specified MOSFET

文件:364.05 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDS9431A_10

P-Channel 2.5V Specified MOSFET

文件:364.05 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDS9431A

P 沟道,2.5V 指定,MOSFET,-20V,-3.5A,130mΩ

此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻并提供卓越开关性能而定制的。 •-3.5 A,-20V RDS(ON) = 0.130 Ω @ VGS = -4.5 V RDS(ON) = 0.180 Ω @ VGS = -2.5 V\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

FDS9431A_F085

P 沟道,2.5V 指定,MOSFET,-20V,-3.5A,130mΩ

此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻并提供卓越开关性能而定制的。 •-3.5 A、-20 V、RDS(ON) = 0.130 Ω (VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 0.180 Ω (VGS = -2.5 V)\n•快速开关速度\n•高密度单元设计可实现极低的DS(ON)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 AEC Q101 标准\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    -20

  • VGS Max (V):

    8

  • VGS(th) Max (V):

    -1

  • ID Max (A):

    -3.5

  • PD Max (W):

    2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    180

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    130

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    6.2

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    6

  • Ciss Typ (pF):

    405

  • Package Type:

    SOIC-8

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更多FDS9431供应商 更新时间2026-4-17 14:03:00