30V P-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 25V). Features • –3.4 A, –30 V RDS(ON) = 130 mΩ @ VG

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FAIRCHILD

仙童半导体

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，-3.4A，130mΩ

此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对需要大范围栅极驱动电压额定值(4.5V – 25V)的电源管理应用进行了优化。 •-3.4 A, -30 V\n•RDS(on) = 130 mΩ@ VGS = -10 V\n•RDS(on) = 200 mΩ @ VGS = -4.5 V\n•低栅极电荷（2.4nC，典型值）\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(ON)\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

Semiconductor Solutions for High Speed Communi cation and Fiber Optic Applications

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INFINEON

英飞凌

RF AMPLIFIER MODEL

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APITECH

ingress protected

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