双 N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，7.5A，22mΩ

FDS6990AS设计用于替代同步DC:DC电源中的一个双SO-8 MOSFET和两个肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。 每个MOSFET都包含使用飞兆半导体单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。 FDS6990AS在同步整流器中作为低端开关的性能与FDS6990A并联一个肖特基二极管的性能相似。 •7.5 A，30 V。 RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) = 28 mΩ @ VGS = 4.5V\n•包含SyncFET肖特基体二极管\n•低栅极电荷（10nC典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•高功率和高电流处理能力;

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安森美半导体

Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

The FDS6990S is designed to replace a dual SO-8 MOSFET and two Schottky diodes in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. Each MOSFET includes integrated Schottky diodes using Fairchild’s mono

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