FDS6912中文资料双 N 沟道，逻辑电平，PWM 优化，PowerTrench® MOSFET，30V，6A，28mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS6912规格书详情
描述 Description
这些N沟道逻辑电平MOSFET经过专门设计，采用同步或常规开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。
特性 Features
6 A，30 V。 RDS(ON) = 0.028。 @ VGS = 10 V RDS(ON) = 0.042 。 @ VGS = 4.5 V。
优化用于切换使用脉宽调制(PWM)控制器的DC/DC转换器
极快速开关
低栅极电荷
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDS6912
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 30V
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：6
- PD Max (W)
：2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=42
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1=Q2=28
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：5
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：7
- Ciss Typ (pF)
：740
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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