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FDS6912数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDS6912

功能描述

双 N 沟道,逻辑电平,PWM 优化,PowerTrench® MOSFET,30V,6A,28mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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FDS6912规格书详情

描述 Description

这些N沟道逻辑电平MOSFET经过专门设计,采用同步或常规开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比,这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此,这是一款更易于驱动且更安全(在高频段也是如此)的MOSFET,可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

特性 Features

6 A,30 V。 RDS(ON) = 0.028。 @ VGS = 10 V RDS(ON) = 0.042 。 @ VGS = 4.5 V。
优化用于切换使用脉宽调制(PWM)控制器的DC/DC转换器
极快速开关
低栅极电荷

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS6912

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 30V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :25

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :6

  • PD Max (W)

    :2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=42

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=28

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :7

  • Ciss Typ (pF)

    :740

  • Package Type

    :SOIC-8

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