FDS6900AS数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDS6900AS规格书详情
描述 Description
FDS6900AS设计用于替代同步DC:DC电源中的两个单通道SO-8 MOSFET和肖特基二极管，为笔记本电脑和其他电池供电电子器件提供各种外设电压。 FDS6900AS包含两个独特的30V、N沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET，旨在最大限度地提高功率转换效率。 高端开关(Q1)的设计特别强调降低开关损耗，而低端开关(Q2)则强调降低导通损耗。 Q2还包含使用飞兆的单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。
特性 Features
•Q2： 经优化以最大限度地降低传导损耗 包含SyncFET肖特基体二极管 8.2A，30V RDS(on) = 22 mΩ @ VGS = 10V RDS(on) = 28mΩ @ VGS = 4.5V
•Q1： 针对低开关损耗而优化 低栅极电荷（11nC典型值） 6.9A，30V RDS(on) = 27 mΩ @ VGS = 10V RDS(on) = 34mΩ @ VGS = 4.5V
• 100% RG (Gate Resistance) Tested
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDS6900AS
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：Q1: 6.9
- PD Max (W)
：2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1: 34
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1: 27
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：9
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：5.8
- Ciss Typ (pF)
：570
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
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