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FDS6699S中文资料N 沟道 PowerTrench® SyncFET™,30V,21A,3.6mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS6699S

功能描述

N 沟道 PowerTrench® SyncFET™,30V,21A,3.6mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 23:38:00

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FDS6699S规格书详情

描述 Description

FDS6699S设计用于替代同步DC:DC电源中的一个单SO-8 MOSFET和肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率,提供低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDS6699S包含使用飞兆半导体单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。

特性 Features

•21A、30V
•RDS(ON) = 3.6 mΩ @ VGS = 10V
•RDS(ON) = 4.5 mΩ @ VGS = 4.5 V
•包含SyncFET肖特基体二极管
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)和快速开关
•高功率和高电流处理能力
•100%通过RG(栅极电阻)测试

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Synchronous Rectifier for DC/DC Converters
• Notebook Vcore low side switch
• Point of Load Low Side Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS6699S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :21

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :4.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3.6

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :23

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :35

  • Ciss Typ (pF)

    :3610

  • Package Type

    :SOIC-8

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