FDS6699S中文资料N 沟道 PowerTrench® SyncFET™,30V,21A,3.6mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS6699S规格书详情
描述 Description
FDS6699S设计用于替代同步DC:DC电源中的一个单SO-8 MOSFET和肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率,提供低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDS6699S包含使用飞兆半导体单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。
特性 Features
•21A、30V
•RDS(ON) = 3.6 mΩ @ VGS = 10V
•RDS(ON) = 4.5 mΩ @ VGS = 4.5 V
•包含SyncFET肖特基体二极管
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)和快速开关
•高功率和高电流处理能力
•100%通过RG(栅极电阻)测试
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Synchronous Rectifier for DC/DC Converters
• Notebook Vcore low side switch
• Point of Load Low Side Switch
技术参数
- 制造商编号
:FDS6699S
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:30
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:3
- ID Max (A)
:21
- PD Max (W)
:2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:4.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:3.6
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:23
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:35
- Ciss Typ (pF)
:3610
- Package Type
:SOIC-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
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